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低本底測量儀市場將呈持續(xù)快速增長態(tài)勢

更新時間:2016-02-26   點(diǎn)擊次數(shù):2556次
   低本底測量儀市場將呈持續(xù)快速增長態(tài)勢
  低本底測量儀主探測器探頭所用閃爍體是低本底αβ雙閃爍體,低本底測量儀閃爍體是高能科迪自主知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品,αβ探測效率高,本底低,表面可擦洗,經(jīng)久耐用,低本底測量儀是測量水質(zhì)弱放射性指標(biāo)的產(chǎn)品。
  低本底測量儀是由計算機(jī)自動控制的多路反符合低本底αβ測量系統(tǒng)。儀器采用程序控制高壓、程序控制閥值,低本底測量儀真正實(shí)現(xiàn)計算機(jī)自動控制測量過程;中文測量界面,低本底測量儀可打印結(jié)果及原始數(shù)據(jù);具有效率高,本底低,穩(wěn)定性好,操作方便等特點(diǎn)。全部指標(biāo)均達(dá)到國標(biāo)GB/T 11682-2008要求的Ⅱ級標(biāo)準(zhǔn),部分指標(biāo)達(dá)到國家Ⅰ級標(biāo)準(zhǔn)。每臺儀器出廠均附帶計量檢定證書。
  低本底測量儀廣泛應(yīng)用于輻射防護(hù),環(huán)境樣品,食用水,醫(yī)藥衛(wèi)生,農(nóng)業(yè)科學(xué),核電站,反應(yīng)堆,同位素生產(chǎn),地質(zhì)勘探,高等院校,科學(xué)研究等領(lǐng)域中αβ的總活度的測量。滿足國標(biāo)GB5749-2006生活飲用水衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)中對放射性指標(biāo)的檢驗(yàn)。
  低本底測量儀產(chǎn)品特點(diǎn)
  1、程控程度高;儀器彩用程控高壓、閥值,計算機(jī)自動控制測量過程,可打印結(jié)果及原始數(shù)據(jù)
  2、鉛室結(jié)構(gòu)新穎:創(chuàng)新的鉛室結(jié)構(gòu)設(shè)計使反符合探測器與主探測器之間距離小,反符合效率高,低本底測量儀為國內(nèi)*多路低本底測量儀,各項技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平
  3、機(jī)柜式創(chuàng)新設(shè)計:使得測量系統(tǒng)高度集成,占地空間小,操作更加簡便
  4、低本底測量儀穩(wěn)定性、重復(fù)性好
  5、主探測器探頭所用的閃爍體是低本底αβ閃爍體,該閃爍體是經(jīng)特殊工藝處理制作而成,αβ探測效率高,本底低,表面可擦洗,不性潮解,經(jīng)久耐用,不易損壞
  低本底測量儀針對生活飲用水衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)國標(biāo)GB5749-2006對總α總β放射性指標(biāo)的檢驗(yàn)而開發(fā)出的產(chǎn)品。低本底測量儀的電子線路、鉛室屏蔽技術(shù)采用了中科院高能科迪多年的科研成果結(jié)晶,LB-4型可同時測四個樣品,分別給出四個樣品中的總α、總β活度濃度測量。具有靈敏度高、本底低、結(jié)構(gòu)簡單、低本底測量儀操作方便穩(wěn)定可靠等特點(diǎn)。低本底測量儀可配任意型號的計算機(jī),系統(tǒng)的數(shù)據(jù)收集和處理、高壓及閾值的調(diào)節(jié)、測量過程的控制均由計算機(jī)完成。測量程序漢化,可在WinXP、Win2000下運(yùn)行,操作過程有中文提示,自動完成測量程序并打印結(jié)果。儀器經(jīng)嚴(yán)格檢定,低本底測量儀全部性能指標(biāo)均達(dá)到國家規(guī)定的Ⅱ級標(biāo)準(zhǔn)(GB/T11682-2008)
  低本底測量儀主要技術(shù)指標(biāo)
  1   儀器對于90Sr-90Yβ源(活性區(qū)Φ20mm)的2π探測效率比≥50%時,
  本底≤0.15cm-2min-1;
  2   儀器對于239Puα源(活性區(qū)Φ25mm)的2π效率比≥80%時,
  本底≤0.005cm-2min-1;
  3   α/β交叉性能:α進(jìn)入β道的記數(shù)比<1%(對239Pu),
  β進(jìn)入α道的計數(shù)比<0.5%(對于90Sr-90Y);
  4   穩(wěn)定性
  4.1  效率穩(wěn)定性:低本底測量儀連續(xù)通電24小時,探測器效率變化α<3%、
  β<5%;
  4.2  本底穩(wěn)定性:在24小時的測量時間內(nèi),本底計數(shù)變化應(yīng)在(Nb±3σ)的范圍內(nèi),其中Nb為本底計數(shù)的平均值,σ為本底計數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)誤差。
  5   耐壓絕緣度>1500V;
  6   絕緣電阻≥2MΩ;
 

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